跳转到内容

横向扩散金属氧化物半导体

本页使用了标题或全文手工转换
维基百科,自由的百科全书

横向扩散金属氧化物半导体(英語:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor缩写LDMOS)经常被用于微波/射频电路,制造于高浓度掺杂基底的外延层上。

LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器,原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件(如GaAs場效電晶體)相比,LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、世界先進積體電路英语Vanguard International Semiconductor Corporation(VIS)、英飞凌、RFMD、飞思卡尔(Freescale)等。