砷化銦

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砷化銦[1]
IUPAC名
Indium(III) arsenide
別名 Indium monoarsenide
識別
CAS號 1303-11-3  checkY
PubChem 91500
ChemSpider 82621
SMILES
 
  • [As]#[In]
InChI
 
  • 1/As.In/rAsIn/c1-2
InChIKey RPQDHPTXJYYUPQ-FVESRWMKAB
性質
化學式 InAs
摩爾質量 189.740 g/mol g·mol⁻¹
密度 5.67 g/cm3
熔點 942°C
能隙 0.354 eV (300 K) eV
電子遷移率 40000 cm2/(V*s)
熱導率 0.27 W/(cm*K) (300 K)
折光度n
D
3.51
結構
晶體結構 立方ZnS結構[2]
熱力學
ΔfHm298K -58.6 kJ·mol-1
S298K 75.7 J·mol-1·K-1
熱容 47.8 J·mol-1·K-1
危險性
警示術語 R:R23/25, R50/53
安全術語 S:S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
歐盟分類 有毒(T)
對環境有害(N)
NFPA 704
0
4
0
 
相關物質
其他陰離子 磷化銦
銻化銦
其他陽離子 砷化鎵
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

砷化銦是一種無機化合物,化學式InAs,是一種半導體材料。它是灰色的立方晶體,熔點942 °C。[3]

結構[編輯]

砷化銦是立方ZnS結構,沒有對稱中心,所以[111]和[]晶面是不等價的[2]

參考資料[編輯]

  1. ^ Lide, David R., Handbook of Chemistry and Physics 87, Boca Raton, FL: CRC Press: 4–61, 1998, ISBN 0-8493-0594-2 
  2. ^ 2.0 2.1 《無機化學叢書》.第四卷 氮 磷 砷分族. 張青蓮 主編. 科學出版社. 2.2.2 砷與p區元素的金屬互化物. P300
  3. ^ Thermal properties of Indium Arsenide (InAs). [2011-11-22]. (原始內容存檔於2012-04-14).