碲化鎵

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碲化鎵[1]
別名 三碲化二鎵,碲化鎵(III)
識別
CAS號 12024-27-0  checkY
PubChem 14496723
ChemSpider 32816381
SMILES
 
  • [Ga]=[Te].[Ga]=[Te].[Te]
性質
化學式 Ga2Te3
摩爾質量 522.25 g/mol g·mol⁻¹
外觀 立方晶體
密度 5.57 g/cm3
熔點 790 °C(1063 K)
相關物質
其他陰離子 氧化鎵, 硫化鎵, 硒化鎵, 碘化鎵
其他陽離子 碲化鋁, 碲化銦
相關化學品 一碲化鎵
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

碲化鎵 (Ga2Te3)是一種無機化合物,也是一種碲化物。碲化鎵在室溫下是一種黑色晶體,可以用作半導體。[2]

製備[編輯]

碲化鎵一般是由三甲基鎵和碲氧化物在高溫下化合而成。它也可以由高溫下金屬直接化合而成。[3]

性質[編輯]

物理性質[編輯]

室溫下的碲化鎵是一種黑色晶體。它的晶體結構是四面體型的。[4] 這種晶體不是立即具有反應性或易燃性的,儘管在處理該化合物時應穿戴嚴格的防護用具(參見毒性)。 碲化鎵的熔點介於 788 °C 到 792 °C ,不溶於水。[5]

化學性質[編輯]

碲化鎵在室溫下穩定。該化合物是相對不活潑的,並且沒有與之不相容的已知材料。碲化鎵隨着時間的流逝會散發碲化物煙霧,並自然分解。它並不會發生自動加速現象

毒性[編輯]

碲化鎵的毒理學特性尚未得到徹底研究。但是,碲元素有較低的毒性。它在體內轉化為二甲基碲,使呼吸和汗水產生類似大蒜的氣味。此外,大量接觸可能導致頭痛、嗜睡、金屬味、食欲不振、噁心、震顫、抽搐和呼吸暫停。[5] 處理該化合物時,應採取適當的預防措施,包括實驗室護目鏡和安全手套。該化合物應在通風良好的地方處理。[5]

用處[編輯]

工業[編輯]

碲化鎵是一種P型和III-IV類的半導體[2] 當前,其在工業中的使用相對有限,但是正在探索進一步的應用,尤其是其在薄膜中的應用以及在激光二極管太陽能電池中的應用。

醫療用處[編輯]

碲化鎵的醫療用途仍在研究中。 [2]

其它用處[編輯]

碲化鎵已用於生產濺射靶材,並用於半導體化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)顯示和光學應用。[6] 高純度的碲化鎵可以以多種晶體和多晶形式商購獲得。[7]

參考資料[編輯]

  1. ^ Lide, David R., Handbook of Chemistry and Physics 87, Boca Raton, Florida: CRC Press: 4–58, 1998, ISBN 0-8493-0594-2 
  2. ^ 2.0 2.1 2.2 American Elements: Gallium(III) Telluride Supplier & Tech Info. [2020-07-10]. (原始內容存檔於2015-04-04). 
  3. ^ The Chemistry of Gallium, N.N. Greenwood, Department of Chemistry, Kings College, Newcastle upon Tyne, England; 1963
  4. ^ WebElements Periodic Table of the Elements | Gallium | digallium tritelluride. [2020-07-10]. (原始內容存檔於2011-07-28). 
  5. ^ 5.0 5.1 5.2 存档副本. [2020-07-10]. (原始內容存檔於2017-02-02). 
  6. ^ American Elements: Gallium(III) Telluride Sputtering Target Supplier & Tech Info. American Elements. [2020-07-10]. (原始內容存檔於2015-04-16). 
  7. ^ American Elements: Gallium(III) Telluride (By Crystallization) Supplier & Tech Info. American Elements. [2020-07-10]. (原始內容存檔於2015-04-04).